Определение времени жизни неравновесных носителей заряда...

Main
Определение времени жизни неравновесных...

Определение времени жизни неравновесных носителей заряда методом модуляции проводимости

Романовский М. Н.

0 / 0

Sukakah Anda buku ini?

Bagaimana kualitas file yang diunduh?

Unduh buku untuk menilai kualitasnya

Bagaimana kualitas file yang diunduh?

Penerbit:

ТУСУР

Bahasa:

russian

Halaman:

7

File:

PDF, 94 KB

IPFS:

,

russian0

Membaca daring

Pengubahan menjadi sedang diproses

Pengubahan menjadi gagal

Mungkin Anda tertarik

Felix Hess — Boomerang Aerodynamics Motion OCRed

В. А. Гуртов — Твердотельная электроника: Учеб. пособие

Глебов Г.Д. (ред.) — Расчет и проектирование полупроводниковых приборов

Агаханян Т. — Основы транзисторной электроники

Левинштейн М.Е., Симин Г.С. — Знакомство с полупроводниками

Фаренбрух, А.Л.;Бьюб, Р.Х. — Солнечные элементы: теория и эксперимент

Вострецова Л. Н., Иго А. В., Соловьев А. А. — Физические основы продукции высокотехнологичного производства

Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. — Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах

Дьяченко А.Т., Флоринский В.Ю. — Определение электродвижущей силы фотоэлемента с запирающим слоем : Методические указания к лабораторной работе № 312

Вострецова Л. Н., Иго А. В., Соловьев А. А. — Физические основы продукции высокотехнологичного производства

Гаман В.И. — Физика полупроводниковых приборов

Митрофанов О.В. и др. — Физические основы функционирования изделий микроэлектроники

Фаренбрух А., Бьюб Р. — Солнечные элементы.Теория и эксперимент

Фаренбрух А., Бьюб Р. — Солнечные элементы: Теория и эксперимент

Митрофанов О.В. и др. — Микроэлектроника

Кузьмин В.А., Сенаторов К.Я. — Четырехслойные полупроводниковые приборы

Ригер Е.Р. — Физика полупроводников: Сборник лабораторных работ

Поляков А.М. — Разгаданный полупроводник

В.Н. Давыдов — ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Величко Д. В., Рубанов В. Г. — Полупроводниковые приборы и устройства

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. — Твердотельная электроника

Давыдов В.Н. — Физические основы оптоэлектроники (Учебное пособие)

Троян П.Е. — Твердотельная электроника

Мамыкин А.И., Рассадина А.А. — Контактные явления в полупроводниках. Учебно-методическое пособие по курсу «Физические основы электроники». Часть 2

— Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ

— Основы теории p-n перехода

Ткачева Т.М. — Основы полупроводниковой техники и ее применение в автотранспортном комплексе

Тырышкин И.С. — Основы полупроводниковой электроники

Шкаев А.Г. — Твердотельная электроника: конспект лекций

Воронков Э.Н. — Твердотельная электроника

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. — Твердотельная электроника. Учебное пособие

Ситникова С.В. — Физические основы электроники

Лукьянов Г.Н., Белякова И.И. — Физика полупроводников

Зимин С. П., Петровская Т. А., Яросл. гос. ун-т — Полупроводниковые диоды (160,00 руб.)

Троян П. Е. — Твердотельная электроника

Славникова М. М. — Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда

Istilah kunci

носителей

неравновесных

напряжения

концентрация

рекомбинации

зависимость

задержки

импульса

модуляции

неосновных

концентрации

полупроводнике

проводимости

установки

воздействия

временем

действием

импульсов

импульсы

перехода

прекращения

равновесной

свободных

скорость

уменьшается

внешнего

генерации

зависимости

измерения

исследования

называют

некоторое

неравновесная

неравновесной

носители

обратного

определяется

осциллограф

осциллографа

полупроводника

получить

приборов

приводит